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IRF3315
APPROVED
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage 150
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient –––
0.187
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance –––
–––
0.07
?
V GS = 10V, I D = 12A ?
V GS(th)
g fs
Gate Threshold Voltage 2.0
Forward Transconductance 11.4
–––
–––
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 50V, I D = 12A
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
25 V DS = 150V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 120V, V GS = 0V, T J = 125°C
––– R G = 5.1 ?
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
Total Gate Charge –––
Gate-to-Source Charge –––
Gate-to-Drain ("Miller") Charge –––
Turn-On Delay Time –––
Rise Time –––
Turn-Off Delay Time –––
Fall Time –––
–––
–––
–––
–––
–––
9.6
32
49
38
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
95 I D = 12A
11 nC V DS = 120V
47 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ?
––– V DD = 75V
––– I D = 12A
ns
––– R D = 5.9 ? , See Fig. 10 ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1300
300
160
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
27
108
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 12A, V GS = 0V ?
––– 174 260 ns T J = 25°C, I F = 12A
––– 1.2 1.7 μC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 4.9mH
R G = 25 ? , I AS = 12A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 12A, di/dt ≤ 140A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
www.irf.com
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